![Charakterisierung von EUV-Schichten am Fraunhofer IOF Charakterisierung von EUV-Schichten am Fraunhofer IOF.](/de/kompetenzen/euv-technologie/euv-verfahren/jcr:content/contentPar/sectioncomponent/sectionParsys/textblockwithpics/imageComponent1/image.img.jpg/1508847972491/11D-EUV-Verfahren.jpg)
Aufgrund der kurzen Lichtwellenlänge zieht die Entwicklung der Halbleiterlithographie hin zum EUV-Spektralbereich enorme Anforderungen an die Qualität von Oberflächen und Schichten nach sich. Am Fraunhofer IOF wurde ein Verfahren entwickelt, das die großflächige und sensitive Charakterisierung von EUV-Spiegelsubstraten vor der Beschichtung ermöglicht. Darüber hinaus wurde ein System zur wellenlängenspezifischen Charakterisierung der Reflexions- und Streulichteigenschaften von EUV-Schichtsystemen bei 13,5 nm entwickelt. Zusammen mit den vorhandenen Modellierungstechniken ergibt sich so eine geschlossene Charakterisierungskette für EUV-Komponenten.